《固体电子学研究与进展》目前收稿方向有:GaN、功率放大器、氮化镓、GaN HEMT、超宽带、低噪声放大器、SiC、阈值电压、毫米波、MOSFET、带通滤波器、太赫兹、击穿电压、碳化硅、低功耗、插入损耗、金刚石、噪声系数、低温共烧陶瓷、滤波器、高效率、HBT、砷化镓、特性研究、GaN HFET、相位噪声、石墨烯、InP、第一性原理、碳纳米管、传输零点、隔离度、场效应晶体管、高电子迁移率晶体管、功率合成、阵列天线、氮化镓高电子迁移率晶体管、单片微波集成电路、器件性能、基片集成波导。
周期:双月
国内统一刊号:32-1110/TN
国际标准刊号:1000-3819
主办单位:南京电子器件研究所
主管单位:中国电子科技集团公司
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